參數(shù)資料
型號(hào)： SUM16N20-125
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 49K
代理商： SUM16N20-125
SUM16N20-125
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72076
S-31273—Rev. C, 16-Jun-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
- Junction Temperature ( C)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
-
r
D
)
0
190
200
210
220
230
240
250
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
V
(
I
D
= 1.0 mA
1.2
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PDF描述
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