參數(shù)資料
型號(hào): SUM110N04-03L
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述: N通道40 - V(下副秘書長(zhǎng))175葷MOSFET的
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 58K
代理商: SUM110N04-03L
SUM110N04-03L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72081
S-22247
Rev. A, 25-Nov-02
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
- Ambient Temperature ( C)
-
I
D
-
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
1
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
0.2
0.1
0.05
0.02
Duty Cycle = 0.5
Single Pulse
N
T
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PDF描述
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參數(shù)描述
SUM110N04-03L-E3 功能描述:MOSFET 40V 110A 230W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-03P-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUM110N04-04 功能描述:MOSFET 40V 110A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-04-E3 功能描述:MOSFET 40V 110A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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