參數(shù)資料
型號: SUM110N04-03L
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述: N通道40 - V(下副秘書長)175葷MOSFET的
文件頁數(shù): 3/6頁
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代理商: SUM110N04-03L
SUM110N04-03L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72081
S-22247
Rev. A, 25-Nov-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
8
16
24
32
40
0
4
8
12
16
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0
40
80
120
160
200
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40
80
120
160
200
240
0
15
30
45
60
75
90
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0
20
40
60
80
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0
50
100
150
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0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
I
D
- Drain Current (A)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
g
f
25 C
-55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 110 A
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= -55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
-
r
D
)
-
I
D
C
rss
I
D
- Drain Current (A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM110N04-03L-E3 功能描述:MOSFET 40V 110A 230W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-03P-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUM110N04-04 功能描述:MOSFET 40V 110A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-04-E3 功能描述:MOSFET 40V 110A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-05H 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175∑C MOSFET