參數(shù)資料
型號(hào)： SUM110N03-03
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SUM110N03-03
SUM110N03-03
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72260
S-31257—Rev. A, 16-Jun-03
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
100
Limited by r
DS(on)
100
0.1
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
- Ambient Temperature ( C)
-
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
N
T
1
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
-
I
D
1 ms
10 ms
100 ms, dc
10 s
100 s
Single Pulse
0.05
0.02
1
10
-4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM110N04-03L N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-03 N-Channel 40-V (D-S) 200C MOSFET
SUM110N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175°C MOSFET
SUM110N04-2M7H N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N06-04L N-Channel 60-V (D-S) 200C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM110N03-03P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUM110N03-03P-E3 功能描述:MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N03-04P 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SUM110N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 110A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-02L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 200 Degree Celcious MOSFET
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