參數(shù)資料
型號(hào)： SUM110N03-03
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175C MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 41K
代理商： SUM110N03-03
SUM110N03-03
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72260
S-31257—Rev. A, 16-Jun-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
- Junction Temperature ( C)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
-
r
D
)
0
30
32
34
36
38
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
V
(
I
D
= 1 mA
Avalanche Current vs. Time
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
0.1
(
I
D
0.01
I
AV
(A) @ T
A
= 150 C
100
1
0.0001
I
AV
(A) @ T
A
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM110N04-03L N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N04-03 N-Channel 40-V (D-S) 200C MOSFET
SUM110N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175°C MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM110N03-03P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUM110N03-03P-E3 功能描述:MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N03-04P 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SUM110N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 110A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110N04-02L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 200 Degree Celcious MOSFET
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