參數(shù)資料
型號： SUD50P06-15L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Tj = 175 °C power MOSFET; low leakage current;
中文描述： P通道，Tj=175℃，低漏電流
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： SUD50P06-15L
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72250
S-31673—Rev. B 11-Aug-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
-
r
T
J
- Junction Temperature ( C)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
)
-
I
100
10
1
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
THERMAL RATINGS
1.00
10.00
100.00
0.1
1.0
10.0
100.0
Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
N
T
1
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
- Case Temperature ( C)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
-
I
0.2
0.1
0.05
0.02
Duty Cycle = 0.5
T
= 25 C
Single Pulse
Single Pulse
I
DM
Limited
I
Limited
BV
DSS
Limited
r
DS(on)
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUD50P06-15L-T4-E3 功能描述:MOSFET P-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUD50P08-25L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET
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