參數(shù)資料
型號(hào)： SUD50P06-15L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Tj = 175 °C power MOSFET; low leakage current;
中文描述： P通道，Tj=175℃，低漏電流
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： SUD50P06-15L
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72250
S-31673—Rev. B 11-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
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0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
-
V
-
r
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
I
D
- Drain Current (A)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
g
25 C
-55 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
= -55 C
25 C
125 C
3 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 thru 4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUD70N02-05P N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET
SUD70N03-06P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM09MN20-270 N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N02-03P N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM110N03-03P N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUD50P06-15L-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50P06-15L-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET
SUD50P06-15L-GE3 功能描述:MOSFET 60V 50A 136W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50P06-15L-T4-E3 功能描述:MOSFET P-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUD50P08-25L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET
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