參數(shù)資料
型號： SUD50N04-07L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 40-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道40五（副），175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SUD50N04-07L
SUD50N04-07L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72344
S-32079—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
N
T
1 00
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
1
0.05
0.02
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUD50N06-08H N-Channel 60-V (D-S) 175c MOSFET
SUD50N06-09L N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET; Logic Level;
SUD50N06-16 N-Channel 60-V (D-S) 175 Degreee Celcious MOSFET
SUD70N02-03P N-Channel 20-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
SUD70N02-04P N-Channel 20-V (D-S) 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUD50N04-07L-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N04-09H-E3 功能描述:MOSFET 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N04-10P-E3 功能描述:MOSFET 40V 20A 53.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N04-16P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S), 175 °C MOSFET
SUD50N04-16P-E3 功能描述:MOSFET 40V 20A 35.7W 16mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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