參數(shù)資料
型號(hào)： SUB85N03-07P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175C MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： SUB85N03-07P
SUP/SUB85N03-07P
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71147
S-00757—Rev. B, 10-Apr-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
1000
2000
3000
4000
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0
6
12
18
24
30
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0.015
0.020
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20
40
60
80
100
120
0
0.5
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1.5
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4.5
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
g
f
25 C
–55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 50 V
I
D
= 85 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
I
D
– Drain Current (A)
5 V
C
rss
2 V
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PDF描述
SUB85N06-05 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N04-03 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-220AB
SUB85N04-03 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUP85N06 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N06-05 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUB85N03-07P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-03 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-03-E3 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-04 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-04-E3 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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