參數(shù)資料
型號： SUB65P06-20
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 55K
代理商： SUB65P06-20
SUP/SUB65P06-20
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70289
S-05111
—
Rev. C, 10-Dec-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
)
–
I
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0.3
0
20
40
60
80
0
25
50
75
100
125
150
175
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
5
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
3
Safe Operating Area
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
–
Case Temperature ( C)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
–
I
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
100
500
10
0.1
10
s
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
dc
T
= 25 C
Single Pulse
Limited by r
DS(on)
0.1
1
10
100
1
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