參數(shù)資料
型號(hào)： SUB50N03-20C
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： SUB50N03-20C
SUB50N03-20C
Vishay Siliconix
Document Number: 71175
S-02575—Rev. C, 27-Nov-00
www.vishay.com
1
Current Sensing MOSFET, N-Channel 30-V (D-S)
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
50
a
48
a
0.015 @ V
GS
= 10 V
0.02 @ V
GS
= 4.5 V
30
D (Tab, 3)
G
S (5)
N-Channel MOSFET
D
2
PAK-5
S
G
D
SENSE
5
1
3
2
4
SENSE
(1)
(2)
KELVIN
(4)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
C
= 25 C
50
a
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 125 C
I
D
32
a
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
100
A
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
25
L = 0.1 mH
31
83
c
2.7
d
mJ
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
Maximum Power Dissipation
b
P
D
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient
PCB Mount
d
R
thJA
55
Junction-to-Case
R
thJC
1.8
C/W
Notes
a.
b.
c.
d.
Package limited.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SUB70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
SUP70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
SUB50P05-13LT 功能描述:MOSFET 55V 50A 200W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB60N04-15L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Temperature Sensing MOSFET N-Channel 40-V (D-S)(112.72 k)
SUB60N04-15LT 功能描述:MOSFET 40V 60A 110W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB60N06-18 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB60N06-18-E3 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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