參數(shù)資料
型號： STY60NA20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道200伏- 0.030ohm - 60甲- Max247快速功率MOS器件
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： STY60NA20
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STY60NM50
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized On Resistance vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
STZT2907A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2907 Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT5401 Medium Power Amplifier(高功率PNP硅晶體管)
SU-A32ANCE-FREQ CMOS/LVCMOS HF VCXO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY60NM50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY60NM60 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY-ITH2-02 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Replacement Touch Digitizer with Glass for iPod Touch 2nd Generation
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