參數(shù)資料
型號(hào)： STX83003
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 249K
代理商： STX83003
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
83.3
200
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V T
j
= 125
o
C
1
5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
12
18
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
L = 25 mH
400
V
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 0.35 A I
B
= 50 mA
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
0.5
1
V
V
1
V
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 0.35 A V
CE
= 5 V
I
C
= 1 A V
CE
= 5 V
10
16
4
25
32
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 0.35 A V
CC
= 125 V
I
B1
= 70 mA I
B2
= -70 mA
T
p
≥
25
μ
s (see figure 2)
I
C
= 0.5 A I
B1
= 0.1 A
V
BE(off)
= -5 V L = 10 mH
V
clamp
= 300 V (see figure 1)
1.5
100
2.2
0.2
2.9
ns
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
450
90
ns
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1.5 %.
STX83003
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PDF描述
STY15NA100 N-Channel 1000V-0.65Ω-15A- Max247 MOSFET(N溝道MOSFET)
STY60NM50 N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STX8-830H 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STX88601VEA-650 制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:- Bulk
STX88601VEA-650 RPL 制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:REPAIR/REPLACEMENT - Bulk
STX88601VEA-650-DF 制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:- Bulk
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