參數(shù)資料
型號： STW9NB90
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
中文描述： N溝道900V - 0.85ohm - 9.7A -對MOSFET的247 PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 87K
代理商： STW9NB90
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.66
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
30
0.1
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
9.7
A
E
AS
600
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
900
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
1
50
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
0.85
1
A
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
9.7
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 4.8 A
8.8
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
2800
290
25
pF
pF
pF
STW9NB90
2/8
相關PDF資料
PDF描述
STW9NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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STB9NK70Z-1 N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STW9NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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