參數(shù)資料
型號： STW20NM60FD
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
中文描述： N溝道600V的- 0.26W - 20A條TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh功率MOSFET（與快速二極體）
文件頁數(shù)： 1/11頁
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代理商： STW20NM60FD
1/11
June 2003
STP20NM60FD - STF20NM60D
STW20NM60FD
N-CHANNEL 600V - 0.26
- 20A TO-220/TO-220FP/TO-247
FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
n
TYPICAL R
DS
(on) = 0.26
n
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
n
100% AVALANCHE TESTED
n
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
n
LOW GATE INPUT RESISTANCE
n
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH
MANUFACTURING YIELDS
DESCRIPTION
The FDmesh associates all advantages of re-
duced on-resistance and fast switching with an in-
trinsic fast-recovery body diode. It is therefore
strongly recommended for bridge topologies, in par-
ticular ZVS phase-shift converters.
APPLICATIONS
n
ZVS PHASE-SHIFT FULL BRIDGE
CONVERTERS FOR SMPS AND WELDING
EQUIPMENT
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP20NM60FD
STF20NM60D
STW20NM60FD
600 V
600 V
600 V
< 0.29
< 0.29
< 0.29
20 A
20 A
20 A
192 W
45 W
214 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP20NM60FD
P20NM60FD
TO-220
TUBE
STF20NM60D
F20NM60D
TO-220FP
TUBE
STW20NM60FD
W20NM60FD
TO-247
TUBE
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
2
3
TO-247
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF20NM60D N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STP21N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21N150K5 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3145pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW21N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 17 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21N90K5 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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