參數資料
型號： STF20NM60D
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
中文描述： N溝道600V的- 0.26W - 20A條TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh功率MOSFET（與快速二極體）
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代理商： STF20NM60D
1/11
June 2003
STP20NM60FD - STF20NM60D
STW20NM60FD
N-CHANNEL 600V - 0.26
- 20A TO-220/TO-220FP/TO-247
FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
n
TYPICAL R
DS
(on) = 0.26
n
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
n
100% AVALANCHE TESTED
n
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
n
LOW GATE INPUT RESISTANCE
n
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH
MANUFACTURING YIELDS
DESCRIPTION
The FDmesh associates all advantages of re-
duced on-resistance and fast switching with an in-
trinsic fast-recovery body diode. It is therefore
strongly recommended for bridge topologies, in par-
ticular ZVS phase-shift converters.
APPLICATIONS
n
ZVS PHASE-SHIFT FULL BRIDGE
CONVERTERS FOR SMPS AND WELDING
EQUIPMENT
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP20NM60FD
STF20NM60D
STW20NM60FD
600 V
600 V
600 V
< 0.29
< 0.29
< 0.29
20 A
20 A
20 A
192 W
45 W
214 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP20NM60FD
P20NM60FD
TO-220
TUBE
STF20NM60D
F20NM60D
TO-220FP
TUBE
STW20NM60FD
W20NM60FD
TO-247
TUBE
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
2
3
TO-247
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STP21N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP22NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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STF21N65M5 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF21N65M5(045Y) 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V, 0.150
STF21N90K5 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF21NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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