參數(shù)資料
型號： STW16NK60Z
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.38з - 14A條，220 / I2SPAK /至247齊納⑩MOSFET的保護SuperMESH
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： STW16NK60Z
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STP16NK60Z - STB16NK60Z-S - STW16NK60Z
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.
Capacitance Variations
Gate Charge vs Gate-source Voltage
相關PDF資料
PDF描述
STP16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STB16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK65Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STW20NB50 N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(Ｎ溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW16NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW17N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW18N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:295 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW18N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:791pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW18N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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