型號(hào): | STW16NA40 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(N溝道功率MOS晶體管) |
中文描述: | N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管(不適用馬鞍山溝道功率晶體管) |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 72K |
代理商: | STW16NA40 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STH18NB40FI | N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
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STH6N100 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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STHS4257A | IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識(shí)別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STW16NA40FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
STW16NA60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
STW16NB60 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW16NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW16NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |