參數(shù)資料
型號： STW16NA40
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 400V-0.21Ω-16A - TO-247/ISOWATT218 Power MOS Transistors(Ｎ溝道功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道400V -0.21Ω- 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： STW16NA40
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 200 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
20
18
25
24
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
380
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A V
GS
= 10 V
145
15
50
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 320 V I
D
= 16 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
25
20
45
35
25
60
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
16
64
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 16 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 16 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
550
9.6
35
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW16NA40-STH16NA40FI
3/6
相關PDF資料
PDF描述
STH18NB40FI N-Channel 400V-0.19Ω-18.4A- TO-247/ISOWATT218 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STHS4257L1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
STHS4257A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW16NA40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
STW16NA60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW16NB60 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW16NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW16NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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