參數(shù)資料
型號(hào)： STH6N100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 202K
代理商： STH6N100
STH6N100
STH6N100FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 1.75
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
LOW GATE CHARGE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWERSUPPLIES (SMPS)
I
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
I
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 2
< 2
I
D
STH6N100
STH6N100FI
1000 V
1000 V
6 A
3.7 A
1
2
3
TO-218
ISOWATT218
December 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STH6N100
STH6N100
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
1000
V
V
DGR
1000
V
V
GS
±
20
V
I
D
6
3.7
A
I
D
3.7
2.3
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
24
24
A
180
70
W
Derating Factor
1.44
0.56
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
4000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
150
1
2
3
1/10
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PDF描述
STHS4257L1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識(shí)別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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STHS4257A1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識(shí)別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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STi4600 6 Channel Dolby AC-3 MPEG1/2 Audio Decoder(六通道音頻解碼器)
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參數(shù)描述
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