參數(shù)資料
型號： STH6N100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 202K
代理商： STH6N100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 500 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 800 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 400 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
70
210
90
280
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
180
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
125
15
55
150
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 800 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
190
50
265
250
65
345
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
6
24
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 6 A
V
GS
= 0
2
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 6 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1100
31
57
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-218
Safe Operating Areas For ISOWATT218
STH6N100/FI
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STHS4257L1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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STHS4257A1 IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
STHS4257L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller with Integrated Signature Resistor(集成識別電阻的IEEE802.3af PoE PD 接口控制器)
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參數(shù)描述
STH6N100FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH6NA80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-218
STH6NA80FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH75N06 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218
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