參數(shù)資料
型號： STW10NB60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 600V-0.69Ω-10A- TO-247 PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道600V的0.69Ω- 10A條至247 PowerMESH MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： STW10NB60
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.78
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
10
A
E
AS
850
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
600
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 100
o
C
1
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
I
D
= 250
μ
A
I
D
=4 A
3
4
5
V
V
GS
= 10V
0.69
0.8
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
10
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 17 A
3
6.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1480
210
25
1924
273
33
pF
pF
pF
STW10NB60
2/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW12NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STW16NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STW16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STB16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW10NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STW10NC60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW10NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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