參數(shù)資料
型號： STU1224N
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 939K
代理商： STU1224N
24
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TO-252 and TO-251 Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
Drain Current-Continuous @ T
J
=25 C
-Pulsed
I
D
12
10
50
A
A
A
W
I
DM
Drain-Source Diode Forward Current
I
S
Maximum Power Dissipation
P
D
Operating Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
STG
-55 to 150
C
a
a
b
SamHop Microelectronics Corp.
Dec 20,2004
1
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
I
D
R
DS(ON) ( m
) Max
24V
12A
80 @ V
GS
= 4.5V
130 @ V
GS
= 2.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
Rugged and reliable.
S
G
D
STU SERIES
TO-252AA(D-PAK)
STD SERIES
TO-251(l-PAK)
G
G
S
S
D
D
STU/D1224N
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
3
50
R
JA
/W
C
/W
C
25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12N05 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STD12N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STD12NE06 N-Channel 60V-0.08Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD150NH02L N-CHANNEL 24V - 0.003 ohm - 150A ClipPAK⑩/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD16NE10 N-Channel 100V-0.07Ω-16A- IPAK/DPAK STripFETTM MOSFET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU1255PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
STU12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:538pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75
STU12N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 8.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU13005N 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt NPN Trans 700Vces 400Vceo 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STU13N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.35Ohm,11A Power MOSFET
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