參數(shù)資料
型號： STU10NC70Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道高達(dá)700V - 0.58ohm -齊納輸出高達(dá)9.4A Max220/I-Max220保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的
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代理商： STU10NC70Z
1/10
Sep 2000
STU10NC70Z
STU10NC70ZI
N-CHANNEL 700V - 0.58
- 9.4A Max220/I-Max220
Zener-Protected PowerMESHIII MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.58
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The third generation of MESH OVERLAY
Power
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-
passed on-resistance per unit area while integrating
back-to-back Zener diodes between gate and
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-
ity with higher ruggedness performance as request-
ed by a large variety of single-switch applications.
APPLICATIONS
I
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION
I
WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STU10NC70Z
STU10NC70ZI
700 V
700 V
<0.75
<0.75
9.4 A
9.4 A
Parameter
Value
Unit
STU10NC70Z
STU10NC70ZI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(1)
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
700
V
700
V
Gate- source Voltage
±25
V
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
9.4
9.4(*)
A
5.9
5.9(*)
A
Drain Current (pulsed)
37.6
37.6(*)
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
160
55
W
1.28
0.44
W/°C
I
GS
Gate-source Current
±50
mA
V
ESD(G-S)
dv/dt(
G
)
V
ISO
T
stg
T
j
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15K
)
Peak Diode Recovery voltage slope
4
KV
3
V/ns
Insulation Winthstand Voltage (DC)
--
2000
V
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
(1)I
SD
≤
9.4A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
(*)Limited only by maximum temperature allowed
Max220
I-Max220
123
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU10NC70ZI N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STU3055L2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
STD3055L2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
STU8NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
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參數(shù)描述
STU10NC70ZI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU10NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU10P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
STU11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
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