參數(shù)資料
型號： STD3055L2
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強模式的邏輯電平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 722K
代理商： STD3055L2
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
TO-252 and TO-251 Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
SamHop Microelectronics Corp.
Feb.01 2005 ver1.3
1
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
I
D
R
DS(ON) ( m
)
20V
18A
40 @ V
GS
= 10V
45 @ V
GS
= 4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
Rugged and reliable.
S
G
D
STU SERIES
TO-252AA(D-PAK)
STD SERIES
TO-251(l-PAK)
G
G
D
S
S
D
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
3
50
R
JA
/W
C
/W
C
20
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
12
V
GS
V
-Pulsed
18
I
D
A
30
I
DM
A
Drain-Source Diode Forward Current
15
I
S
A
Maximum Power Dissipation
P
D
W
Operating and StorageTemperature Range
T
J
, T
STG
-55 to 175
C
@Tc=25 C
50
Drain Current-Continuous @T
C
=25 C
a
Max
STU/D3055L2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU8NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率MOS晶體管)
STU8NB90 N-CHANNEL 900V - 0.7ohm - 8.9A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率MOS晶體管)
STU9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STU9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD3055L2-60 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STD3055NL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
STD30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD30N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD30NE06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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