參數(shù)資料
型號(hào)： STU10NB80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10A - Max220 PowerMESHO MOSFET
中文描述： ? -頻道800V的- 0.65ohm - 10A條- Max220 PowerMESHO MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 44K
代理商： STU10NB80
STU10NB80
N - CHANNEL 800V - 0.65
- 10A - Max220
PowerMESH
MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.65
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest R
DS(on)
per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 1999
123
Max220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Parameter
Value
800
800
±
30
10
6.3
40
160
1.28
4
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V/ns
o
C
o
C
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area (
1
) I
SD
≤10 Α, ≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
dv/dt (
1
)
T
stg
T
j
TYPE
V
DSS
800 V
R
DS(on)
< 0.8
I
D
STU10NB80
10 A
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU10NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NC70ZI N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STU3055L2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
STD3055L2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NC70ZI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU10NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU10P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*