參數(shù)資料
型號： STS2320
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： STS2320
STS2320
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
V
SD
V
GS
= 0V, Is =1.25A
0.81
1.2
V
b
C
Notes
a.Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec.
c.Guaranteed by design, not subject to production testing.
b.Pulse Test:Pulse Width 300us, Duty Cycle 2%.
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 4. On-Resistance Variation with
Temperature
Figure 3. Capacitance
V
DS
, Drain-to Source Voltage (V)
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
C
O
R
D
,
(
I
D
,
5
0 5 10 15 20 25 30
Ciss
Coss
1150
900
750
500
250
0
20
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
3
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
-50
0
50
100
125
Tj( C)
-25
25
75
V
GS
=4.5V
I
D
=3A
Crss
25 C
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tj=125 C
-55 C
V
GS
=2V
V
GS
=3V
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