參數(shù)資料
型號： STS2320
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： STS2320
STS2320
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
=
V
GS
0V, I
D
=
20
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
GS
0V
V
GS
10V, V
DS
=
=
1
uA
Gate-Body Leakage
ON CHARACTERISTICS
I
GSS
100
nA
b
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
V
GS
, I
D
= 250uA
=
0.6
1.5
V
Drain-Source On-State Resistance
R
DS(ON)
V
GS
4.5V, I
D
3A
32
45
V
GS
2.5V, I
D
2A
50
65
On-State Drain Current
I
D(ON)
g
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
A
S
Forward Transconductance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
FS
V
DS
5V, I
D
c
C
ISS
C
RSS
C
OSS
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
f =1.0MH
Z
P
F
P
F
P
F
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
c
Rise Time
Turn-Off Delay Time
t
D(ON)
t
r
t
D(OFF)
t
f
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V,
R
L
= 10
ohm
R
GEN
= 6
ohm
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10V, I
D
= 3.5A,
V
GS
=4.5V
nC
nC
nC
C
Fall Time
=
=
=
2
m-ohm
m-ohm
10
641
135
101
19.6
4
26
15.7
9.1
1.4
3.2
8
0.9
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