參數(shù)資料
型號： STP7NA60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 206K
代理商： STP7NA60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 300 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 480 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 480 V
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
20
25
28
35
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
200
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
58
9
27
82
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 480 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
16
16
26
23
23
37
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
7.2
29
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 7.2 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 7.2 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
600
10
33
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas for TO-220
Safe Operating Areas for ISOWATT220
STP7NA60/FI
3/10
相關PDF資料
PDF描述
STP7NA60FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STP7NB30 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP7NB30FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP7NB40 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP7NB40FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP7NA60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP7NB30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP7NB30FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 300V - 0.75ohm - 7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP7NB40 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP7NB40FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
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