參數(shù)資料
型號: STP7NA40
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式快速功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 201K
代理商: STP7NA40
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STP7NA40/FI
7/10
相關PDF資料
PDF描述
STP7NA40FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STP7NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STP7NA60FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STP7NB30 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STP7NB30FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP7NA40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP7NA60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP7NA60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP7NB30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP7NB30FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 300V - 0.75ohm - 7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET