參數(shù)資料
型號： STP55NE06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 56K
代理商： STP55NE06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
=4.7
V
GS
= 5 V
V
DD
= 48 V
I
D
= 27.5 A
40
100
55
140
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 55 A
V
GS
= 5 V
40
13
20
55
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
=4.7
I
D
= 55 A
V
GS
= 5 V
25
40
65
35
55
90
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
55
220
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 55 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 55 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
65
180
5.5
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
STP55NE06LFP
3/6
相關PDF資料
PDF描述
STP55NE06LFP N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP55NE06FP N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP5N30L N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP5N30 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP55NE06LFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NF03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET
STP55NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP55NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
STP55NF06FP 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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