參數(shù)資料
型號： STP50N06
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： STP50N06
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STP50N06/FI
7/10
相關PDF資料
PDF描述
STP50N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP50N06LFI N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP55NE06LFP N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP50N06FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP50N06L 功能描述:MOSFET TO-220AB N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP50N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP50NE08 功能描述:MOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP50NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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