參數(shù)資料
型號： STP40NF10L
廠商： 意法半導體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 272K
代理商： STP40NF10L
STP40NF10L
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1
°C/W
°C/W
62.5
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
100
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 17V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 20 A
V
GS
= 5V, I
D
= 20 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.028
0.033
0.030
0.036
Parameter
Test Conditions
V
DS
=
15V
,
I
D
= 20 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
25
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
2300
pF
Output Capacitance
290
pF
Reverse Transfer
Capacitance
125
pF
相關PDF資料
PDF描述
STP4NA100 32BIT W/ CACHE, MMU, FPU
STP4NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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