參數(shù)資料
型號： STP36NE06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的，0.032Ω- 36A條，TO-220/TO-220FP STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： STP36NE06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
=4.7
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 48 V
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 36 A
V
GS
=10 V
I
D
= 36 A
28
85
40
115
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
250
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
GS
= 10 V
50
13
18
70
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
=4.7
I
D
= 36 A
V
GS
= 10 V
12
25
40
16
35
55
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
36
144
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 36 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 36 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
75
245
6.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea for TO-220
Safe OperatingArea for TO-220FP
STP36NE06FP
3/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP38N06 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強模式高密度功率MOSFET)
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STP3NC60 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
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STP45NE06FP N-Channel 60V-0.022Ω-45A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP36NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
STP36NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 30A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
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