參數(shù)資料
型號(hào)： STP36N06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： STP36N06
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
4.40
1.23
2.40
MAX.
4.60
1.32
2.72
MIN.
0.173
0.048
0.094
MAX.
0.181
0.051
0.107
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
1.27
0.050
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
16.4
0.645
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
STP36N06/FI
8/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP36NF06 N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36NE06FP N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP36NE06 N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP36N06FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N06L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N55M5 功能描述:MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh V FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP36N60M6 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M6 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.75V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1960pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:208W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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