參數資料
型號: STP36N06
廠商: 意法半導體
英文描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述: ? -通道增強型功率MOS器件
文件頁數: 7/10頁
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代理商: STP36N06
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STP36N06/FI
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相關PDF資料
PDF描述
STP36NF06 N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36NE06FP N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP36NE06 N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
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STP36N55M5 功能描述:MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh V FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP36N60M6 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M6 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):44.3nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1960pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):208W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50