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參數(shù)資料
| 型號： | STP32N06 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | STP32N06 |
Thermal Impedance For TO-220
Derating Curve For TO-220
Output Characteristics
Thermal Impedance For ISOWATT220
Derating Curve For ISOWATT220
Transfer Characteristics
STP36N06L/FI
4/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP32N06L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP32N06LFI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP36N05L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP36N05LFI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP36N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP32N06L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP32N06LFI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP32N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP32N65M5-CUT TAPE | 制造商:ST 功能描述:STP32N Series N Channel 650 V 24 A 119 mOhm Power Mosfet - TO-220 |
| STP32NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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