參數(shù)資料
型號(hào)： STP25N06FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： STP25N06FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 40 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
30
90
45
130
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
230
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
26
8
9
40
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
80
80
170
120
120
250
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
25
100
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 25 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 25 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
80
0.22
5.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-220
Safe Operating Areas For ISOWATT220
STP25N06/FI
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM50N-1 N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP30N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP25N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP25N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:188 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP25N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25NM50N 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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