參數(shù)資料
型號(hào)： STP20NE06FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的-0.07Ω- 20A條，TO-220/TO-220FP STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： STP20NE06FP
THERMAL DATA
TO-220
TO-220FP
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.14
5
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
20
A
E
AS
80
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
I
D
= 10 A
0.07
0.085
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
20
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=10 A
5
9
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
900
100
50
1200
140
70
pF
pF
pF
STP20NE06FP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP20NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NE06LFP N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NK50Z Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:15kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
STP24NF10 N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 24A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STP25N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP20NE06L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NE06LFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP20NE10 功能描述:MOSFET RO 511-STP24NF10 TO-220 N-CH 100V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NF06_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET
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