參數(shù)資料
型號： STP16NE06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式單一的功能SIZETM功率MOSFET（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 70K
代理商： STP16NE06L
THERMAL DATA
TO-220
TO-220FP
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.5
5
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
16
A
E
AS
80
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
15V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 8 A
I
D
= 8 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
2
3
4
V
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
0.090
0.12
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
16
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=8 A
6
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
800
100
50
pF
pF
pF
STP16NE06L/FP
2/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP19N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
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STP19N06LFI N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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