參數(shù)資料
型號： STP16N10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.14 ohm - 16A - TO-220 POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? - 100V的通道- 0.14歐姆- 16A條- TO - 220功率MOS晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： STP16N10L
STP16N10L
N - CHANNEL 100V - 0.14
- 16A - TO-220
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.14
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
HIGH dV/dt RUGGEDNESS
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
POWER MOTOR CONTROL
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SYNCRONOUS RECTIFICATION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
100
±
15
16
V
V
A
I
D
11
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
64
A
90
W
0.4
W/
o
C
dV/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
0.6
V/ns
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
175
TYPE
V
DSS
100 V
R
DS(on)
< 0.16
I
D
STP16N10L
16 A
March 1999
1
2
3
TO-220
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP190NF04 N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB190NF04 N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP20N10LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP20N10L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STP20NM50FD N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP16N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:710pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP16N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP16NB25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*