參數(shù)資料
型號(hào)： STP20N10LFI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型低閾值功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 203K
代理商： STP20N10LFI
STP20N10L
STP20N10LFI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.09
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.12
< 0.12
I
D
STP20N10L
STP20N10LFI
100 V
100 V
20 A
12 A
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
November 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP20N10L
STP20N10LFI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
V
DGR
100
V
V
GS
±
15
V
I
D
20
12
A
I
D
14
8
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
80
80
A
105
40
W
Derating Factor
0.7
0.27
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
175
1
2
3
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP20N10L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STP20NM50FD N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
STB20NM50FD-1 N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
STB20NM50FD N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET With FAST DIODE
STP20NM60FD N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP20N20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP20N95K5 功能描述:MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP20NE06 功能描述:MOSFET RO 511-STP36NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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