型號(hào): | STB20NM50FD-1 |
廠(chǎng)商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE |
中文描述: | N溝道500V - 0.22ohm - 20A條TO-220/I2PAK FDmesh⑩功率MOSFET,快速二極管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 276K |
代理商: | STB20NM50FD-1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STB20NM50FD | N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET With FAST DIODE |
STP20NM60FD | N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE) |
STW20NM60FD | N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE) |
STF20NM60D | N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE) |
STP21N05L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STB20NM50FDT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20NM50T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20NM60 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 20A D2PAK |
STB20NM60-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20NM60A-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB20NM60A-1 - Rail/Tube |