型號: | STP14NK60Z |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 13/17頁 |
文件大?。?/td> | 553K |
代理商: | STP14NK60Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STW15NK90Z | N-CHANNEL 900V - 0.40W - 15A TO-247 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET |
ST_STW15NK90Z | N-CHANNEL 900V - 0.40W - 15A TO-247 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET |
STW18NB40FI | N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
STW18NB40 | N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
STH18NB40 | N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP14NK60Z_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.45ヘ - 13.5A TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET |
STP14NK60ZFP | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP14NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP14NM65N | 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP150N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 55A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |