參數(shù)資料
型號(hào)： STN2N10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： STN2N10L
DIM.
mm
mils
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
a
2.27
2.3
2.33
89.4
90.6
91.7
b
4.57
4.6
4.63
179.9
181.1
182.3
c
0.2
0.4
0.6
7.9
15.7
23.6
d
0.63
0.65
0.67
24.8
25.6
26.4
e1
1.5
1.6
1.7
59.1
63
66.9
e4
0.32
12.6
f
2.9
3
3.1
114.2
118.1
122.1
g
0.67
0.7
0.73
26.4
27.6
28.7
l1
6.7
7
7.3
263.8
275.6
287.4
l2
3.5
3.5
3.7
137.8
137.8
145.7
L
6.3
6.5
6.7
248
255.9
263.8
C
C
B
E
L
a
b
e
l
f
g
c
d
l2
e4
SOT223 MECHANICAL DATA
P008B
STN2N10L
4/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN2NE10L N-Channel 100V-0.33Ω-2A-SOT-223 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STN3NE06L N-Channel 60V-0.10Ω-3A- SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STN4NF03L N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN4NF03 N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN817A PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STN2NE06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10L 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223
STN2NF06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
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