參數(shù)資料
型號(hào)： STN2N10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： STN2N10L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 50 V I
D
= 4 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
V
DD
= 80 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
V
DD
= 80 V I
D
= 8 A V
GS
= 5 V
6
20
10
30
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
380
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
10
6
3
15
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 80 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
10
10
20
15
15
30
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
2
8
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 2 A V
GS
= 0
I
SD
= 8 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 30 V T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
90
0.27
6
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STN2N10L
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN2NE10L N-Channel 100V-0.33Ω-2A-SOT-223 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STN3NE06L N-Channel 60V-0.10Ω-3A- SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STN4NF03L N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN4NF03 N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN817A PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STN2NE06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10L 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2NE10L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223
STN2NF06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
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