型號: | STN2N10L |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管) |
中文描述: | N溝道增強模式功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管) |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 86K |
代理商: | STN2N10L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STN2NE10L | N-Channel 100V-0.33Ω-2A-SOT-223 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
STN3NE06L | N-Channel 60V-0.10Ω-3A- SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
STN4NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STN4NF03 | N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STN817A | PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STN2NE06 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STN2NE10 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STN2NE10L | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STN2NE10L_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223 |
STN2NF06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET |