參數(shù)資料
型號(hào)： STM6930
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 704K
代理商： STM6930
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
I
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
I
D
,
4
20.0
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
ID=250uA
12
9
6
3
15
0
0
5
10
15
20
V
DS
=5V
40
10
11
0.1
0.03
0.1
1
10
30
60
10ms
100ms
1s
DC
V
GS
=10V
Single Pulse
T
A
=25 C
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
=48V
I
D
=4.8A
STM6930
R
DS
(ON)Lmt
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