參數(shù)資料
型號： STGF7NB60SL
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的-對220FP PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 8/9頁
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代理商： STGF7NB60SL
STGF7NB60SL
8/9
Table 10: Revision History
Date
Revision
Description of Changes
04-June-2004
02-Sep-2004
2
3
Stylesheet update. No content change
Datasheet updated, see table1
相關PDF資料
PDF描述
STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
STH51005G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004A 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004X 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGF7NB60SL_0409 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT
STGF7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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