參數(shù)資料
型號： STGF7NB60SL
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的-對220FP PowerMESH IGBT的
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代理商： STGF7NB60SL
STGF7NB60SL
2/9
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at 25
°
C
I
C
Collector Current (continuous) at 100
°
C
I
CM
(1)
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
V
ISO
Insulation Withstand Voltage A.C.
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.
Table 4: Thermal Data
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Off
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collectro-Emitter Breakdown
Voltage
V
BR(ECS)
Emitter-Collector Breakdown
Voltage
I
CES
Collector-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Tc=25
°
C
Tc=125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Table 6: On
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
Parameter
Value
Symbol
V
600
20
V
± 20
V
15
A
7
A
20
A
25
W
0.2
W/
°
C
V
2500
–
55 to 150
°
C
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5
°
C/W
°
C/W
62.5
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 1mA, V
GE
= 0
20
V
V
GE
= Max Rating
10
100
μA
μA
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
=4.5 V, I
C
= 7A, Tj= 25
°
C
V
GE
=4.5 V, I
C
= 7A, Tj= 125
°
C
Min.
1.2
Typ.
Max.
2.4
Unit
V
Gate Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.2
1.1
1.6
V
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
STH51005G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004A 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004X 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
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STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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